یکی از مهمترین مشکلات حافظههای STT-RAM امکان بروز خطا در این حافظهها است. از عوامل اصلی رخداد خطا در این حافظهها میتوان به نوسانات فرایند ساخت، نوسانات دمایی و وابستگی رخداد خطا به توزیع دادهای اشاره کرد و بنابراین احتمال رخداد خطا با توجه به داده موجود در هر سلول چکیده کامل
یکی از مهمترین مشکلات حافظههای STT-RAM امکان بروز خطا در این حافظهها است. از عوامل اصلی رخداد خطا در این حافظهها میتوان به نوسانات فرایند ساخت، نوسانات دمایی و وابستگی رخداد خطا به توزیع دادهای اشاره کرد و بنابراین احتمال رخداد خطا با توجه به داده موجود در هر سلول با سلول دیگر متفاوت خواهد بود. روشهای ارائهشده موجود عموماً بدون در نظر گرفتن رفتار حافظه در شرایط فیزیکی مختلف، اقدام به حل مشکلات حافظهها کردهاند که در نتیجه با سربار زیادی در توان و مساحت همراه هستند. بنابراین نیاز به ارائه روشی احساس میشود که در سطوح پایینتر، احتمال رخداد خطا را در هنگام عمل نوشتن کاهش دهد، با در نظر گرفتن این امر که سربار توان غیر قابل قبولی ایجاد نکند. به منظور کاهش رخداد خطای نوشتن و همچنین پیشگیری از سربار توان زیاد، پیشنهادی ارائه شده که با توجه به داده، مسیر جداگانهای برای نوشتن در نظر خواهد گرفت. هر کدام از مسیرها مشخصهای مطابق با داده خواهند داشت که در نهایت منجر به کاهش حداکثری خطای نوشتن میشود. در این راستا از مشخصه دمایی سلول برای کاهش زمان عملیات نوشتن بهره گرفته خواهد شد. شبیهسازیها نشان میدهد که اعمال این روش منجر به کاهش 38/11% زمان نوشتن در سلول حافظه شده که این دستاورد بدون سربار مساحت و یا توان نسبت به روشهای موجود حاصل شده است.
پرونده مقاله
با پیشرفت تکنولوژی و کوچکترشدن ابعاد ترانزیستورها در تکنولوژی CMOS، چالشهای متعددی به وجود آمدهاند. از نگرانیهای اصلی در بهرهگیری از حافظههای مبتنی بر CMOS، میتوان توان مصرفی بالا در این نوع حافظهها را برشمرد. از این رو برای مرتفعنمودن کمبودهای حافظههای فرار م چکیده کامل
با پیشرفت تکنولوژی و کوچکترشدن ابعاد ترانزیستورها در تکنولوژی CMOS، چالشهای متعددی به وجود آمدهاند. از نگرانیهای اصلی در بهرهگیری از حافظههای مبتنی بر CMOS، میتوان توان مصرفی بالا در این نوع حافظهها را برشمرد. از این رو برای مرتفعنمودن کمبودهای حافظههای فرار مرسوم، حافظههای جدید و غیر فراری ارائه شدند. در این میان یکی از تکنولوژیهای غیر فرار نوظهور، حافظههای STT-MRAM هستند که به واسطه ویژگیهایی همچون توان نشتی ناچیز، چگالی بالا و زمان دسترسی مناسب به عنوان جایگزینی مؤثر و کارا برای حافظههای مرسوم همچون SRAMها در نظر گرفته میشوند. ویژگیهای مثبت STT-MRAMها این امکان را به وجود میآورد که بتوان از آنها در سطوح مختلف از سلسلهمراتب حافظه، علیالخصوص سطح حافظه نهان بهره برد. با این حال، حافظههای STT-MRAM از انرژی نوشتن بالا رنج میبرند که در این مقاله با ارائه یک مدار نوشتن جدید با بهرهگیری از روش دمایی، علاوه بر بهبود انرژی بالای نوشتن در این نوع حافظه، تأخیر نوشتن نیز بهبود داده میشود. روش پیشنهادی در مقایسه با روشهای موجود به بهبودی 5/22 و 62/18 درصدی به ترتیب در انرژی و تأخیر نوشتن دست یافته است.
پرونده مقاله
