• صفحه اصلی
  • ارزیابی کارآیی سلول حافظه SRAM مبتنی بر ترانزیستورهای TMDFET در مقایسه با فناوری Si-MOSFET

اشتراک گذاری

آدرس مقاله


کد مقاله : 13990810250496 بازدید : 4186 صفحه: 189 - 198

20.1001.1.16823745.1400.19.3.13.4

نوع مقاله: پژوهشی

مقالات مرتبط